當前，全球半導體產(chǎn)業(yè)正處于技術(shù)迭代與格局重塑的關(guān)鍵時期，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體在新能源汽車、服務器電源、光伏儲能、高密度電源等領域有著廣泛的應用。10月14日，正值第56個世界標準日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標準化委員會、廣電計量主辦，無錫廣電計量承辦的半導體功率器件標準與檢測研討會在無錫順利舉行，匯聚行業(yè)權(quán)威專家，分享前沿技術(shù)議題，以標準引領技術(shù)創(chuàng)新，質(zhì)量護航“中國芯”崛起。
標準引領：標準成為產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展戰(zhàn)略的重要部分
會議現(xiàn)場
活動以“創(chuàng)‘芯’賦能 標準筑基”為主題，第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長、中國科學院半導體研究所原副所長楊富華，廣電計量黨委副書記、總經(jīng)理明志茂出席活動并致辭，無錫市新吳區(qū)科學技術(shù)協(xié)會副主席張少波，來自半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游的技術(shù)專家、高校學者、企業(yè)代表約150人參會。廣電計量總經(jīng)理助理、無錫廣電計量總經(jīng)理儲程晨作開場主持。
楊富華在致辭中強調(diào)，標準已從傳統(tǒng)意義上的產(chǎn)品互換和質(zhì)量評判的依據(jù)，上升為產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展戰(zhàn)略的重要組成部分，成為事關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基礎性、先導性和戰(zhàn)略性工作。希望以標準為引領，以創(chuàng)新為驅(qū)動，共同構(gòu)建開放、共享、可持續(xù)的第三代半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副理事長兼秘書長、中國科學院半導體研究所原副所長楊富華致辭
明志茂在致辭中表示，廣電計量將積極推動新技術(shù)、新方法、新工具、新標準和新體系的“五新”能力構(gòu)建，加強半導體全鏈條標準化體系建設，同時推動“AI+檢測”深度融合，構(gòu)建覆蓋半導體全生命周期的數(shù)字化質(zhì)量保障服務平臺，為第三代半導體產(chǎn)業(yè)從材料創(chuàng)新到終端產(chǎn)品升級全程保駕護航。
廣電計量黨委副書記、總經(jīng)理明志茂致辭
廣電計量總經(jīng)理助理、無錫廣電計量總經(jīng)理儲程晨作開場主持
干貨滿滿：大咖匯聚為行業(yè)發(fā)展建言獻策
研討會主題緊扣半導體國家戰(zhàn)略，匯聚復旦大學、上海交通大學、西安交通大學、東南大學、電子科技大學、華北電力大學、廣東工業(yè)大學、中電科五十五所、深圳平湖實驗室、廣電計量、忱芯科技、飛仕得等半導體產(chǎn)業(yè)上下游權(quán)威專家，分享SiC、GaN功率器件標準與檢測等技術(shù)議題，為促進功率電子的規(guī)模應用，服務新興市場開拓注入“智慧力量”。其中，廣電計量集成電路測試與分析事業(yè)部副總經(jīng)理李汝冠作《支撐新興市場開拓的SiC MOSFET標準體系布局與應用實施》主題分享。
東南大學副教授魏家行作《碳化硅功率MOS器件及可靠性研究進展》主題分享
中電科五十五所高級工程師張國斌作《面向模塊應用的SiC MOSFET芯片測試篩選技術(shù)》主題分享
杭州飛仕得設備事業(yè)部首席技術(shù)官劉偉作《SiC MOSFET功率器件可靠性篩選方法與解決方案》主題分享
華北電力大學副教授李學寶作《碳化硅器件芯片級電流測量方法及應用》主題分享
上海交通大學副教授王亞林作《T/CASAS 061 SiC MOSFET模塊局部放電試驗方法》主題分享
廣電計量集成電路測試與分析事業(yè)部副總經(jīng)理李汝冠作《支撐新興市場開拓的SiC MOSFET標準體系布局與應用實施》主題分享
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長兼標準化委員會秘書長高偉擔任上午場主持
忱芯科技總經(jīng)理毛賽君作《《碳化硅功率器件 dv/dt 魯棒性評估指南》IEC CDV 63672 ED1 解讀 & SiC MOSFET HTFB測試挑戰(zhàn)與解決方案》主題分享
復旦大學研究生項載滿作《SiC MOSFET浪涌可靠性及失效分析研究》主題分享
復旦大學研究生羅濤作《SiC MOSFET雪崩失效機理分析和仿真研究》主題分享
電子科技大學教授陳萬軍作《GaN功率器件研究與可靠性進展》主題分享
西安交通大學副教授周翔作《GaN器件電源模塊的管理芯片發(fā)展趨勢》主題分享
廣東工業(yè)大學教授賀致遠作《P-GaN HEMT動態(tài)閾值電壓測試方法》主題分享
深圳平湖實驗室工程師王小明作《P-GaN HEMT功率器件短路試驗方法》主題分享
無錫廣電計量副總經(jīng)理陳振擔任下午場主持人
參觀實驗室
此外，與會嘉賓分批參觀了無錫廣電計量實驗室，深入了解廣電計量在集成電路與失效分析等領域的技術(shù)實力和服務能力。
在半導體領域，廣電計量是國內(nèi)領先的半導體質(zhì)量評價與可靠性解決方案提供商，公司聚焦先進半導體及超大規(guī)模集成電路國產(chǎn)自主可控需求，構(gòu)建性能功能測試、可靠性及失效機理分析評估、芯片設計與制程分析、質(zhì)量等級認證、功能安全評估和量產(chǎn)與批產(chǎn)測試篩選等全棧式檢測與技術(shù)咨詢服務能力。
未來，廣電計量將持續(xù)深耕半導體材料及器件領域，加強產(chǎn)業(yè)鏈上下游協(xié)同合作，著力構(gòu)建“產(chǎn)學研檢用”深度融合的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，以技術(shù)之力為產(chǎn)業(yè)鏈賦能，加速推動我國第三代半導體自主可控和國產(chǎn)化進程。